侵權投訴

GaN

氮化鎵(GaN)是一種具有較大禁帶寬度的半導體,屬于寬禁帶半導體之列。氮化鎵是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強的抗輻照能力。


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