10月8日訊，據(jù)媒體報道，中國目前使用的半導體僅16％在中國生產(chǎn)，當中只有一半由中國企業(yè)制造，比例相當?shù)�。按政府計劃，中國希�?020年生產(chǎn)40％自用半導體，2025年提高至70％，務求盡快擺脫美國制肘。

大部份中國芯片股自貿(mào)易戰(zhàn)開打以來，雖錄不同程度跌幅，但從上述角度考慮，行業(yè)長遠受惠國策支持。其中，有約兩成收入來自華為的中芯國際，自中美爆貿(mào)戰(zhàn)以來一度下跌37％，但今年首九個月累升43％，已收復大部份貿(mào)易戰(zhàn)后導至的失地。

技術突破，幾乎成了近年來經(jīng)濟發(fā)展的主旋律。無論是5G技術、量子技術、半導體技術，還是IoT物聯(lián)網(wǎng)、金融科技創(chuàng)新……一大批尖端技術的突破，既為經(jīng)濟發(fā)展注入新的活力，也成為刺激資本市場上科技板塊股票上漲的重要因素。

恰如近段時間以來，由于“在先進制程的研發(fā)快于預期構成利好”，中芯國際（00981－HK）未來預期收入有望實現(xiàn)快速增長。而受此影響，中芯國際股價同樣呈現(xiàn)出持續(xù)上漲的態(tài)勢，并創(chuàng)下自2018年6月份以來的新高。

不僅如此，隨著未來的5G、智能手機、物聯(lián)網(wǎng)終端技術等領域的快速發(fā)展，相關行業(yè)對于高端芯片的需求量將會持續(xù)增加。提升國產(chǎn)芯片的自給率，其意義不言而喻。

事實上，在14nm逐漸步入量產(chǎn)，并著手推進擴大產(chǎn)能的同時，2019年二季度的企業(yè)財報中同時透露：第一代FinFET技術進入風險量產(chǎn)，第二代FinFET N＋1技術平臺也已經(jīng)開始進入客戶導入，中芯國際將與客戶保持長遠穩(wěn)健的合作關系。

持續(xù)引進人才，技術創(chuàng)新，國產(chǎn)7nm芯片或為期不遠

而在此前，在中芯國際2019年一季度財報信息披露中，梁孟松博士就曾經(jīng)披露12nm已經(jīng)進入客戶導入階段，并表示更新一代FinFET工藝研發(fā)進度喜人，相關研發(fā)進程非常順利。

在12nm制程工藝后的新一代FinFET工藝研發(fā)？究竟是10nm，還是更高級別，當下國際頂尖的7nm芯片先進制程工藝？從研發(fā)進度來看，中芯國際越過20nm等級，直接由28nm過渡到14nm，也不能排除從12nm直接躍進到7nm的可能。

而另一件事情似乎可以佐證這種由12nm直接躍進到7nm的猜想。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟信息網(wǎng)披露，2018年年中，中芯國際耗資1．2億美元，向荷蘭ASML公司訂購了億臺EUV極紫外光刻機，而這種設備通常用來7nm級別先進制程工藝的研發(fā)使用。

其實，無論新一代FinFET工藝研發(fā)級別是10nm，還是7nm，都是國內(nèi)芯片代工生產(chǎn)技術的突破，而翹首期盼的國產(chǎn)7nm越來越近，或已是為期不遠。

自2000年中芯國際成立，到現(xiàn)如今14nm制程工藝的量產(chǎn)化，12nm制程工藝進入到客戶導入階段，不到20年的時間，中芯國際從0到1，又不斷提升技術水平，可謂成績斐然。

值得注意的是，中芯國際14nm工藝的研發(fā)成功與企業(yè)近年來持續(xù)引進人才密切相關。

2017年，有著豐富芯片制程工藝研發(fā)經(jīng)驗的梁孟松加入中芯國際；2018年8月9日，梁孟松研發(fā)團隊宣布14nm工藝取得重大突破。這距離梁孟松加入中心國際也不過是298天，換言之，不到300天的時間，中芯國際技術工藝完成了代差性的跨越。