中國半導體自給率明年有望達 40%,2025 年將提升至七成
10月8日訊,據(jù)媒體報道,中國目前使用的半導體僅16%在中國生產(chǎn),當中只有一半由中國企業(yè)制造,比例相當?shù)。按政府計劃,中國希?020年生產(chǎn)40%自用半導體,2025年提高至70%,務求盡快擺脫美國制肘。
大部份中國芯片股自貿(mào)易戰(zhàn)開打以來,雖錄不同程度跌幅,但從上述角度考慮,行業(yè)長遠受惠國策支持。其中,有約兩成收入來自華為的中芯國際,自中美爆貿(mào)戰(zhàn)以來一度下跌37%,但今年首九個月累升43%,已收復大部份貿(mào)易戰(zhàn)后導至的失地。
技術突破,幾乎成了近年來經(jīng)濟發(fā)展的主旋律。無論是5G技術、量子技術、半導體技術,還是IoT物聯(lián)網(wǎng)、金融科技創(chuàng)新……一大批尖端技術的突破,既為經(jīng)濟發(fā)展注入新的活力,也成為刺激資本市場上科技板塊股票上漲的重要因素。
恰如近段時間以來,由于“在先進制程的研發(fā)快于預期構成利好”,中芯國際(00981-HK)未來預期收入有望實現(xiàn)快速增長。而受此影響,中芯國際股價同樣呈現(xiàn)出持續(xù)上漲的態(tài)勢,并創(chuàng)下自2018年6月份以來的新高。
不僅如此,隨著未來的5G、智能手機、物聯(lián)網(wǎng)終端技術等領域的快速發(fā)展,相關行業(yè)對于高端芯片的需求量將會持續(xù)增加。提升國產(chǎn)芯片的自給率,其意義不言而喻。
事實上,在14nm逐漸步入量產(chǎn),并著手推進擴大產(chǎn)能的同時,2019年二季度的企業(yè)財報中同時透露:第一代FinFET技術進入風險量產(chǎn),第二代FinFET N+1技術平臺也已經(jīng)開始進入客戶導入,中芯國際將與客戶保持長遠穩(wěn)健的合作關系。
持續(xù)引進人才,技術創(chuàng)新,國產(chǎn)7nm芯片或為期不遠
而在此前,在中芯國際2019年一季度財報信息披露中,梁孟松博士就曾經(jīng)披露12nm已經(jīng)進入客戶導入階段,并表示更新一代FinFET工藝研發(fā)進度喜人,相關研發(fā)進程非常順利。
在12nm制程工藝后的新一代FinFET工藝研發(fā)?究竟是10nm,還是更高級別,當下國際頂尖的7nm芯片先進制程工藝?從研發(fā)進度來看,中芯國際越過20nm等級,直接由28nm過渡到14nm,也不能排除從12nm直接躍進到7nm的可能。
而另一件事情似乎可以佐證這種由12nm直接躍進到7nm的猜想。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟信息網(wǎng)披露,2018年年中,中芯國際耗資1.2億美元,向荷蘭ASML公司訂購了億臺EUV極紫外光刻機,而這種設備通常用來7nm級別先進制程工藝的研發(fā)使用。
其實,無論新一代FinFET工藝研發(fā)級別是10nm,還是7nm,都是國內(nèi)芯片代工生產(chǎn)技術的突破,而翹首期盼的國產(chǎn)7nm越來越近,或已是為期不遠。
自2000年中芯國際成立,到現(xiàn)如今14nm制程工藝的量產(chǎn)化,12nm制程工藝進入到客戶導入階段,不到20年的時間,中芯國際從0到1,又不斷提升技術水平,可謂成績斐然。
值得注意的是,中芯國際14nm工藝的研發(fā)成功與企業(yè)近年來持續(xù)引進人才密切相關。
2017年,有著豐富芯片制程工藝研發(fā)經(jīng)驗的梁孟松加入中芯國際;2018年8月9日,梁孟松研發(fā)團隊宣布14nm工藝取得重大突破。這距離梁孟松加入中心國際也不過是298天,換言之,不到300天的時間,中芯國際技術工藝完成了代差性的跨越。
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