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Exynos 990中藏有三星真正的7LPP工藝

去年,三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工藝中引入了EUV。通過對芯片的分析,我們發(fā)現(xiàn)他們在9825中的所謂7LPP工藝與在Exynos 9820中的8LPP工藝之間幾乎沒有區(qū)別。

現(xiàn)在,我們很高興地說,我們在其旗艦產(chǎn)品Galaxy S20中的Exynos 990中發(fā)現(xiàn)了三星真正的7LPP工藝。如我們所料,這款7納米EUV工藝是迄今觀察到的三星密度最高的。

憑借27nm的fin節(jié)距,這一突破性創(chuàng)新使NMOS和PMOS晶體管的3fin/3fin版圖可保持268nm的較小標準單元高度,同時擁有高驅(qū)動電流。

與臺積電的7nm 3/3 7.5T 300nm標準單元高度和 2/2 6T 240nm標準單元高度相比,EUV光刻實現(xiàn)的密度確實更高。

英特爾的10納米制程具有相近的272nm標準單元高度,但是采用了2/3 的fin數(shù)比例。除了節(jié)距微縮外,三星還以令人驚訝的實現(xiàn)方式推出了SDB,該SDB縮短了所需的晶體管隔離距離,最初宣布SDB會在其6LPP工藝平臺中進行部署。

聲明: 本文由入駐維科號的作者撰寫,觀點僅代表作者本人,不代表OFweek立場。如有侵權(quán)或其他問題,請聯(lián)系舉報。

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