說起日本在半導(dǎo)體材料方面的成績,相信大家都是清楚的。目前日本壟斷了全球70%左右的半導(dǎo)體材料,比如光刻膠、硅晶圓、特氣、靶材等等。
日本為何在半導(dǎo)體材料方面這么強大,這是因為上世紀(jì)80年代的時候,日本曾經(jīng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域是全球第一,比美國還要強。
后來美國出手,廢了日本半導(dǎo)體的武功,于是日本開始調(diào)整產(chǎn)業(yè)鏈,向最上游的材料、設(shè)備出發(fā),然后重金投入,從而有了今天的地位。
不過隨著第二代、第三代半導(dǎo)體材料的誕生,很多人以為日本在半導(dǎo)體材料方面的優(yōu)勢,可能會慢慢失去,畢竟第二、三代半導(dǎo)體材料方面,日本似乎并沒有領(lǐng)先多少。
但近日,日本卻在第三代的新半導(dǎo)體材料方面,再次走到了世界前列,日企Novel Crystal Technology全球首次量產(chǎn)了100mm(4英寸)的“氧化鎵”晶圓,并且將于今年就可以提供量產(chǎn)出來的晶圓產(chǎn)品。
氧化鎵的別名是三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導(dǎo)體,也是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。
氧化鎵功率元件的市場規(guī)模,比當(dāng)前最為火爆的氮化鎵功率元件的規(guī)模其實還要大,也被認為是未來光電子時代最重要的半導(dǎo)體材料。
所以日本首發(fā)“氧化鎵”晶圓是相當(dāng)于具有意義的,更重要的是,量產(chǎn)的新一代晶圓可以使用原有100mm晶圓的設(shè)備制造新一代產(chǎn)品,有效保護了企業(yè)的投資,不用全部革新設(shè)備,使得進度更快,投資更小。
可見,中國企業(yè)真的要加油,在第一代半導(dǎo)體材料上,我們已經(jīng)嚴(yán)重落后于日本、美國企業(yè),不要在新材料上,再次落后太遠,畢竟落后就要挨打,就有被卡脖子的可能。