說起日本在半導(dǎo)體材料方面的成績，相信大家都是清楚的。目前日本壟斷了全球70％左右的半導(dǎo)體材料，比如光刻膠、硅晶圓、特氣、靶材等等。

日本為何在半導(dǎo)體材料方面這么強大，這是因為上世紀(jì)80年代的時候，日本曾經(jīng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域是全球第一，比美國還要強。

后來美國出手，廢了日本半導(dǎo)體的武功，于是日本開始調(diào)整產(chǎn)業(yè)鏈，向最上游的材料、設(shè)備出發(fā)，然后重金投入，從而有了今天的地位。

不過隨著第二代、第三代半導(dǎo)體材料的誕生，很多人以為日本在半導(dǎo)體材料方面的優(yōu)勢，可能會慢慢失去，畢竟第二、三代半導(dǎo)體材料方面，日本似乎并沒有領(lǐng)先多少。

但近日，日本卻在第三代的新半導(dǎo)體材料方面，再次走到了世界前列，日企Novel Crystal Technology全球首次量產(chǎn)了100mm（4英寸）的“氧化鎵”晶圓，并且將于今年就可以提供量產(chǎn)出來的晶圓產(chǎn)品。

氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導(dǎo)體，也是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。

氧化鎵功率元件的市場規(guī)模，比當(dāng)前最為火爆的氮化鎵功率元件的規(guī)模其實還要大，也被認為是未來光電子時代最重要的半導(dǎo)體材料。

所以日本首發(fā)“氧化鎵”晶圓是相當(dāng)于具有意義的，更重要的是，量產(chǎn)的新一代晶圓可以使用原有100mm晶圓的設(shè)備制造新一代產(chǎn)品，有效保護了企業(yè)的投資，不用全部革新設(shè)備，使得進度更快，投資更小。

可見，中國企業(yè)真的要加油，在第一代半導(dǎo)體材料上，我們已經(jīng)嚴(yán)重落后于日本、美國企業(yè)，不要在新材料上，再次落后太遠，畢竟落后就要挨打，就有被卡脖子的可能。