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Intel發(fā)布史上最詳細(xì)工藝和封裝技術(shù)路線圖

2021-07-28 14:57
快科技
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今天,Intel發(fā)布了公司有史以來最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖,展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新。

除了公布其近十多年來首個(gè)全新晶體管架構(gòu)RibbonFET 和業(yè)界首個(gè)全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外,Intel還重點(diǎn)介紹了迅速采用下一代極紫外光刻(EUV)技術(shù)的計(jì)劃,即高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV。

據(jù)悉,Intel有望率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

Intel CEO帕特·基辛格表示,基于Intel在先進(jìn)封裝領(lǐng)域毋庸置疑的領(lǐng)先性,我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖,以確保到2025年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界。

Intel正利用我們無可比擬的持續(xù)創(chuàng)新的動(dòng)力,實(shí)現(xiàn)從晶體管到系統(tǒng)層面的全面技術(shù)進(jìn)步。在窮盡元素周期表之前,我們將堅(jiān)持不懈地追尋摩爾定律的腳步,并持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進(jìn)創(chuàng)新。

Intel技術(shù)專家詳述了以下路線圖,其中包含新的節(jié)點(diǎn)命名和實(shí)現(xiàn)每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新技術(shù):

基于FinFET晶體管優(yōu)化,Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比,每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產(chǎn)品將會(huì)采Intel 7工藝,之后是面向數(shù)據(jù)中心的Sapphire Rapids預(yù)計(jì)將于2022年第一季度投產(chǎn)。

Intel 4完全采用EUV光刻技術(shù),可使用超短波長(zhǎng)的光,刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進(jìn),Intel 4將在2022年下半年投產(chǎn),并于2023年出貨,這些產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids。

Intel 3憑借FinFET的進(jìn)一步優(yōu)化和在更多工序中增加對(duì)EUV使用,較之Intel 4將在每瓦性能上實(shí)現(xiàn)約18%的提升,在芯片面積上也會(huì)有額外改進(jìn)。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。

Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)開啟埃米時(shí)代。RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度,同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò),通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號(hào)傳輸。Intel 20A預(yù)計(jì)將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A制程工藝技術(shù)上,與高通公司進(jìn)行合作。

2025年及更遠(yuǎn)的未來:從Intel 20A更進(jìn)一步的Intel 18A節(jié)點(diǎn)也已在研發(fā)中,將于2025年初推出,它將對(duì)RibbonFET進(jìn)行改進(jìn),在晶體管性能上實(shí)現(xiàn)又一次重大飛躍。

Intel還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV,有望率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。Intel正與ASML密切合作,確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功,超越當(dāng)前一代EUV。

Intel高級(jí)副總裁兼技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher博士表示:“Intel有著悠久的制程工藝基礎(chǔ)性創(chuàng)新的歷史,這些創(chuàng)新均驅(qū)動(dòng)了行業(yè)的飛躍。我們引領(lǐng)了從90 nm應(yīng)變硅向45 nm高K金屬柵極的過渡,并在22 nm時(shí)率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創(chuàng)性技術(shù),Intel 20A將成為制程技術(shù)的另一個(gè)分水嶺。”

作者:朝暉來源:快科技

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