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擋不住了,國(guó)產(chǎn)芯片再度突進(jìn),部分環(huán)節(jié)已進(jìn)到4nm

2022-07-02 12:01
柏銘007
關(guān)注

芯片制造無疑是國(guó)產(chǎn)芯片最受重視的部分,不過由于種種原因,導(dǎo)致芯片制造跟不上芯片設(shè)計(jì)的步伐,但是這并不意味著芯片制造就陷入停滯,近期國(guó)產(chǎn)芯片代工商之一的長(zhǎng)電科技就表示已實(shí)現(xiàn)4nm手機(jī)芯片封裝,可以提升芯片的性能。

長(zhǎng)電科技表示已具備4nm手機(jī)芯片封裝技術(shù),可以承接臺(tái)積電等芯片代工廠生產(chǎn)的手機(jī)芯片,將CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝,相比起以往的芯片封裝技術(shù),長(zhǎng)電科技這項(xiàng)封裝技術(shù)有利于提升手機(jī)芯片整體性能,降低功耗,同時(shí)減小體積,對(duì)于手機(jī)這種精密機(jī)器非常重要。

業(yè)界可能都對(duì)臺(tái)積電、三星量產(chǎn)4nm耳熟能詳,先進(jìn)工藝有助于提升芯片的性能、降低功耗,對(duì)于手機(jī)芯片來說由于手機(jī)的體積小,因此更需要采用先進(jìn)工藝來獲得更佳的性能、功耗表現(xiàn),而對(duì)于芯片來說,其實(shí)除了制造之外,還有封測(cè)環(huán)節(jié)也非常重要。

封測(cè)環(huán)節(jié)是將臺(tái)積電、三星等芯片制造企業(yè)生產(chǎn)出來的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線、塑封,這個(gè)過程同樣需要很高的技術(shù),確保切割過程中不會(huì)損壞晶圓,然后將芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電器連接,再以恰當(dāng)?shù)陌b為它提供保護(hù),最后對(duì)封裝完畢的芯片進(jìn)行功能和性能測(cè)試,確保出廠的芯片是合格產(chǎn)品。

隨著先進(jìn)工藝越來越接近瓶頸,加上先進(jìn)工藝的成本越來越昂貴,芯片設(shè)計(jì)企業(yè)和芯片制造企業(yè)都開始尋求在封裝技術(shù)方面進(jìn)行變革,當(dāng)下臺(tái)積電、Intel等組建的chiplet聯(lián)盟就是希望以先進(jìn)封裝技術(shù)將多種類型的芯片封裝在一起,增強(qiáng)多種芯片的數(shù)據(jù)傳輸效率,進(jìn)而提高性能,降低芯片制造成本,長(zhǎng)電科技恰是全球前三大封測(cè)企業(yè)之一,它在先進(jìn)封裝技術(shù)方面達(dá)到全球領(lǐng)先水平,自然也有助于增強(qiáng)中國(guó)芯片整體實(shí)力。

先進(jìn)封裝技術(shù)如今已成為全球芯片行業(yè)所追求的一項(xiàng)重要技術(shù),臺(tái)積電、Intel等建立的chiplet聯(lián)盟推進(jìn)它們的封裝技術(shù),中國(guó)大陸的華為海思也已獲得了芯片堆疊技術(shù)專利,如今長(zhǎng)電科技在先進(jìn)封裝技術(shù)方面追上全球先進(jìn)水平,都可以看出封裝技術(shù)已成為各方爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。

業(yè)界人士就推測(cè)華為可能會(huì)在手機(jī)芯片上采用芯片堆疊技術(shù)提升芯片性能,這主要是因?yàn)楫?dāng)下全國(guó)產(chǎn)芯片工藝遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電,而芯片堆疊技術(shù)可以有效提升芯片性能,如此以成熟工藝生產(chǎn)的海思芯片加芯片堆疊技術(shù)可以滿足消費(fèi)者對(duì)性能的需求。

當(dāng)然對(duì)于芯片來說,最終還是需要在芯片制造工藝方面的突破,此前業(yè)界人士就指出國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈除了封裝技術(shù)上取得進(jìn)展之外,在芯片制造八大環(huán)節(jié)也只剩下光刻機(jī)一項(xiàng)受阻,其他芯片制造環(huán)節(jié)都突進(jìn)到14nm,其中刻蝕機(jī)更是進(jìn)展到5nm,這就意味著國(guó)產(chǎn)芯片已至少有兩個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)展到5nm以上。

至于光刻機(jī),據(jù)稱中國(guó)將會(huì)兩條腿走路,一方面是繼續(xù)努力攻克光刻機(jī)的關(guān)鍵元件,力求實(shí)現(xiàn)先進(jìn)光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化,另一方面則是尋求研發(fā)無需光刻機(jī)的芯片制造技術(shù),這方面有日本的NIL工藝提供參考,日本的NIL工藝已被鎧俠用于NAND flash存儲(chǔ)芯片生產(chǎn),據(jù)稱到2025年將可以用于5nm工藝的生產(chǎn),而國(guó)產(chǎn)芯片制造據(jù)稱也在往這個(gè)方向努力。

總的來說,無論從哪方面來看,中國(guó)在芯片各個(gè)環(huán)節(jié)都在努力推進(jìn),能取得的任何進(jìn)步都是值得驚喜的,畢竟飯要一口一口吃,當(dāng)其他環(huán)節(jié)都已為先進(jìn)工藝準(zhǔn)備好,那么當(dāng)光刻機(jī)問題得到解決的時(shí)候,國(guó)產(chǎn)先進(jìn)工藝就能立刻上馬,有足夠的準(zhǔn)備才能更快收獲碩果。

       原文標(biāo)題 : 擋不住了,國(guó)產(chǎn)芯片再度突進(jìn),部分環(huán)節(jié)已進(jìn)到4nm

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