比亞迪造芯片,掀開了車規(guī)級功率半導體國產(chǎn)化的新篇章
2018年是全球半導體產(chǎn)業(yè)騰飛的一年,也是中國半導體技術突破的一年。全年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了很多大事,格芯放棄7nm工藝、造芯新勢力登上舞臺、并購案頻頻發(fā)生……如果用八個字形容行業(yè)的狀況,那就是“跌宕起伏、砥礪前行”,不管行業(yè)怎么變化,人們對半導體產(chǎn)業(yè)的信心并沒有變化,整個行業(yè)的前景值得期待。OFweek電子工程網(wǎng)策劃了半導體產(chǎn)業(yè)的2018年度盤點專題,通過對并購案、技術突破、風云人物、國家動態(tài)等總結(jié),帶大家溫習一下半導體這風云變幻同時又精彩紛呈的一年。
前不久,某科研團隊的科學家成功研發(fā)出0.7nm二硒化鎢二極管,這意味著這項技術可能打破半導體的3nm制程極限,芯片可以容納更多的二極管。這次0.7nm的二硒化鎢二極管研發(fā)成功,將為業(yè)界看衰半導體制程的人們一顆強心針,具有非常重要的意義。
2018年12月,復旦大學物理學系修發(fā)賢課題組在《自然》雜志上刊發(fā)了他們的研究成果,這也是中國科學家首次在三維空間中發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應。據(jù)悉,修發(fā)賢教授課題組在拓撲狄拉克半金屬砷化鎘材料里觀測到三維量子霍爾效應,通過實驗證明電子的隧穿過程,邁出從二維到三維的關鍵一步。
2018年12月,《自然》雜志發(fā)表了一篇關于一代邏輯器件的研究論文,描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件,相較于目前的CMOS器件、MESO器件,有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。這項技術有望推動計算能效提升,跨越不同的計算架構(gòu)促進性能增長。
2018年11月,國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收,這個設備就是光刻機,該光刻機由中國自主研制,分辨率達到了22納米,未來還能用于制造10納米級別的芯片,這是中國一項非常重大的技術突破。
美國研究人員領導了一項新科研項目,探索出一種涉及磁阻效應的新型拓撲絕緣體,這種拓撲絕緣體將改善計算機計算與存儲。這種磁阻隨機存取存儲器正逐漸在計算機存儲領域應用,這種拓撲絕緣體的材料有利于進一步改善磁阻隨機存儲電子單元寫數(shù)據(jù)的能量效率。
2018年5月,天津大學傳來好消息,天津大學的精密測試技術及儀器國家重點實驗室龐慰團隊,成功開發(fā)出了柔性射頻濾波器,可直接應用于柔性電子,這是我國在柔性電子設備上的一大技術突破,這門技術可實現(xiàn)柔性電子設備間的高速無線通訊。
這款傳感器能可移植并且可伸展,它非常適用于醫(yī)療行業(yè),如用這門技術為很多患者定制個性化的康復方案。應用這門技術,人們可以控制傳感器的降解,使其壽命與組織愈合時間保持統(tǒng)一,同時傳感器的靈敏度也沒影響。
。2018年8月,長春光機研制出世界上最大的口徑碳化硅單體反射鏡,標志著我國在這個制造領域已經(jīng)躋身國際先進行列。據(jù)悉,這個4m量級高精度SiC非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)技術將應用于國家地基大型光電系統(tǒng)。
2018年3月,中國科技部高新司在高質(zhì)量第三代半導體材料關鍵技術上實現(xiàn)了新突破,該項目完成了兩英寸GaN自支撐襯底的規(guī)?;a(chǎn),實現(xiàn)了高Al組分AlGaN基深紫外光泵浦激射,開發(fā)了基于鈣鈦礦氧化物材料的紫外光電探測器件原型,為氮化鎵的早日量產(chǎn)實現(xiàn)了技術的新突破。
近年來,全球很多研究機構(gòu)開始將精力放在類腦芯片技術上,一直未能取得突破性進展。2018年2月,麻省理工的工程師設計了一種人造突觸,可以實現(xiàn)精確控制流過這種突觸的電流強度,類似離子在神經(jīng)元之間的流動,這給人們設計像人腦一樣工作的芯片大有幫助。
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