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單晶硅各向異性腐蝕的微觀動態(tài)模擬

[摘要]  根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點,以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素,溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子，建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機模擬模型。
下載說明: 文件大小：0.36MB | 文件格式：PDF | 上網(wǎng)時間：2009-03-25
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