意法半導(dǎo)體推出低壓專用柵極驅(qū)動器IC,改進(jìn)無刷電機控制設(shè)計
12月23日,Vishay宣布推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導(dǎo)通電阻比其前代器件低29 %,為通信、工業(yè)、計算和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案,同時柵極電荷下降60 %,從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)創(chuàng)業(yè)界新低。
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著SiHH070N60EF的推出,以及即將發(fā)布的第四代600V EF系列產(chǎn)品,Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正(PFC)和軟切換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結(jié)技術(shù),10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.061Ω,超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC,比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低,從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF,可改善零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能,如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %。
日前發(fā)布的器件采用PowerPAK 8x8封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,耐受雪崩模式過壓瞬變,并保證極限值100 %通過UIS測試。
3.艾邁斯半導(dǎo)體推出Nuheara新款智能耳塞,帶來更出色的聽覺享受
12月21日,艾邁斯半導(dǎo)體宣布,其主動降噪(ANC)芯片技術(shù)為Nuheara“全球先進(jìn)的耳塞”——新款I(lǐng)Qbuds2 MAX產(chǎn)品提供個性化的降噪。
Nuheara耳塞集出色的播放音質(zhì)與個性化的聽覺增強特性于一體。這款零售價為379歐元的耳機為一些有輕度聽力障礙但暫時不想使用助聽器,同時又希望獲得出色聆聽體驗的消費者提供一個新的選擇。
4.JAE推出USB4認(rèn)證的Type-C插座連接器
JAE發(fā)布了USB4(40Gbps)認(rèn)證的Type-C插座連接器(板上型)。本產(chǎn)品在保證傳統(tǒng)USB C型連接器的向后兼容性的同時,通過JAE的高速傳輸仿真技術(shù),能嚴(yán)格滿足USB4規(guī)格下的例如信號質(zhì)量等方面高品質(zhì)規(guī)范。同時,取得USB4認(rèn)證的產(chǎn)品。
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