傳統(tǒng)多片芯封裝與FOWLP

FOWLP有幾種變體,每種都使用稍有不同的制造步驟。FOWLP組件可以使用模壓優(yōu)先(mold-first)流程創(chuàng)建,片芯面朝下或面朝上安裝,或者使用RDL優(yōu)先(RDL-first)組件。

模壓優(yōu)先方法

片芯使用臨時(shí)粘合層或熱釋放層連接到載體上,然后將其模制到封裝中。如果片芯面朝下安裝,接下來(lái)的步驟是釋放臨時(shí)層,連接RDL,形成完成封裝的焊球。如果片芯面朝上安裝,則需要一些附加步驟。

首先,單個(gè)片芯I/O連接必須通過在其上添加銅柱來(lái)擴(kuò)展,然后再進(jìn)行二次成型。成型后,嵌條的背面必須接地,在連接RDL和形成焊球之前露出支柱。

RDL優(yōu)先方法

RDL使用臨時(shí)釋放層連接載體,而片芯連接到RDL。然后是組裝成型、載體釋放、焊錫球成型。這兩種方法的最后一步都是將組件分開,使這些組件整體形成單獨(dú)的器件。

FOWLP技術(shù)的兩種方法

這些方法具有不同的成本和性能權(quán)衡。在成本方面,模壓優(yōu)先面朝下方法避免了制作銅柱和研磨,因此制造成本較低;最適合低I/O數(shù)的應(yīng)用;但是,存在著片芯移位、晶圓翹曲等問題,限制了在復(fù)雜多芯片封裝中的應(yīng)用。

面朝上的方法減少了這些問題,并在熱管理方面有優(yōu)勢(shì),因?yàn)樾酒�背面完全暴�?有利于散熱。

在性能方面,與其他兩種方法相比,面朝下的方法的連接路徑更短。這兩種方法都有銅柱,可以將連接延伸到RDL,同時(shí)在芯片下有一層材料,增加了連接之間的寄生電容,從而影響了其高頻性能。

2．5D到3D IC封裝的關(guān)鍵是TSV

在2．5D封裝中,片芯采用堆疊或并排放置在基于硅通孔(TSV)的中間層頂部。底部的中間層提供芯片之間的連接。2．5D封裝技術(shù)是傳統(tǒng)2D IC封裝技術(shù)的一個(gè)進(jìn)步,它使跡線和空間更加精細(xì)。

2．5D封裝通常用于高端ASIC、FPGA、GPU和內(nèi)存。2008年,Xilinx將其大型FPGA分成了四個(gè)更小、良率更高的芯片,并將這些芯片連接到一個(gè)硅中間層上,從而誕生了2．5D封裝,最終成為流行的高帶寬內(nèi)存(HBM)處理器集成。

TSV連接的功能完整的3D封裝

在3D IC封裝中,邏輯片芯堆疊在一起,通過銅TSV在硅芯片之間實(shí)現(xiàn)垂直互連,并使用有源中間層連接片芯。與通過導(dǎo)電凸點(diǎn)或TSV將元件堆疊在中間層上的2．5D不同,3D IC封裝采用多層硅晶圓并通過TSV將元件堆疊在一起。

TSV是2．5D和3D封裝解決方案中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),它提供了一種穿過片芯硅晶圓的垂直互連。這種封裝是以晶圓形式制造的,里面填充了銅。TSV是一種穿過芯片整個(gè)厚度或基板延伸的長(zhǎng)通孔電氣連接,它創(chuàng)建了從芯片一側(cè)到另一側(cè)的最短路徑。然而,TSV除了自身顯著的電氣特性外,還對(duì)其附近的器件和互連的電氣行為產(chǎn)生間接影響。

為了精確地模擬一個(gè)2．5D/3D異構(gòu)系統(tǒng),設(shè)計(jì)者需要從這些2．5D/3D元素的物理結(jié)構(gòu)中提取精確電參數(shù)的工具,然后將這些參數(shù)輸入行為仿真器。利用完整組件裝配的3D數(shù)字孿生模型,設(shè)計(jì)者可以準(zhǔn)確地提取出2．5D和3D模型中的寄生性,以分析性能和適當(dāng)?shù)膮f(xié)議遵從性。

值得注意的是,2．5D和3D堆疊都會(huì)產(chǎn)生各種偶然的物理應(yīng)力,例如在安裝過程中基板翹曲和碰撞引起的應(yīng)力。設(shè)計(jì)人員必須能夠分析這種芯片封裝交互作用引起的應(yīng)力及其對(duì)器件性能的影響。一旦封裝接近完成,需要導(dǎo)出精確的3D封裝熱模型,以便在詳細(xì)的PCB和全系統(tǒng)熱分析中使用,進(jìn)而對(duì)系統(tǒng)外殼進(jìn)行最終調(diào)整,并優(yōu)化自然和/或強(qiáng)制冷卻。

3D IC封裝的熱仿真